Samsung начинает производство чипов первого поколения 3нм

Samsung начинает производство чипов первого поколения 3нм

  • 30.06.2022 14:12:05
  • Леонид (avcafe.ru)
  • 53

Samsung Foundry объявила о начале массового производства 3-нанометровых чипов первого поколения. Они основаны на новой транзисторной архитектуре GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.

По сравнению с 5нм, чипы Samsung 3нм первого поколения смогут обеспечить на 23% лучшую производительность, на 45% снизить энергопотребление и на 16% сократить занимаемую площадь.

3-нанометровый чип Samsung второго поколения будет еще более интересным - по сравнению с 5нм он достигнет 50% снижения энергопотребления, повышения производительности до 30% и сокращения площади на 35%.

Samsung теперь опережает компанию TSMC, которая, как ожидается, начнет массовое производство 3-нанометровых чипов во второй половине этого года.

Конструкция транзистора Gate-All-Around (GAA) позволяет литейному заводу сжимать транзисторы, не повредив их способности проводить ток.